DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG MZ-VAP8T0BW 9100 PRO SSD 8TB PCIe 5.0 14800 MB-s

Características del disco duro interno sólido ssd samsung mz — vap8t0bw 9100 pro ssd 8tb

El samsung 9100 pro ssd de 8 tb está diseñado para usuarios que necesitan un almacenamiento interno de alto rendimiento — especialmente en
equipos avanzados — estaciones de trabajo o configuraciones orientadas a tareas exigentes. Gracias a su interfaz pcie gen 5.0 x4 nvme 2.0 — ofrece
velocidades muy elevadas para carga de archivos — transferencia de datos y trabajo intensivo.

Rendimiento extremo con pcie 5.0

Este ssd aprovecha la tecnología pcie gen 5.0 x4 para alcanzar velocidades secuenciales de hasta 14.800 mb — s en lectura y 13.400 mb — s en
escritura — ofreciendo una respuesta rápida en cargas pesadas — proyectos grandes y uso profesional.

• Lectura secuencial: hasta 14.800 mb — s
• Escritura secuencial: hasta 13.400 mb — s
• Interfaz pcie gen 5.0 x4 nvme 2.0
  

Alta capacidad para archivos y proyectos exigentes

Con una capacidad de 8 tb — este disco ssd permite almacenar grandes volúmenes de datos — juegos — aplicaciones — proyectos creativos y archivos
profesionales sin depender constantemente de unidades externas.

• Capacidad total: 8 tb
• Formato m.2 2280
• Diseñado para almacenamiento interno de alto rendimiento
  

Respuesta rápida en lectura y escritura aleatoria

Su rendimiento en operaciones aleatorias permite una experiencia más fluida al trabajar con múltiples archivos — aplicaciones exigentes o procesos
simultáneos. Alcanza hasta 2.200.000 iops en lectura aleatoria y hasta 2.600.000 iops en escritura aleatoria.

• Lectura aleatoria 4kb qd32: hasta 2.200.000 iops
• Escritura aleatoria 4kb qd32: hasta 2.600.000 iops
• Optimizado para tareas intensivas y acceso rápido a datos
  

Memoria samsung v — nand tlc y caché dedicada

El ssd integra memoria samsung v — nand tlc junto con una caché samsung 8 gb ddr4x sdram — una combinación pensada para mantener un
rendimiento estable en transferencias y cargas de trabajo avanzadas.

• Tipo de memoria: samsung v — nand tlc
• Memoria caché: samsung 8 gb ddr4x sdram
• Formato compacto m.2 para equipos compatibles
  

Seguridad — resistencia y diseño compacto

Para proteger los datos — incorpora encriptación aes 256 — bit compatible con class 0 — tcg — opal e ieee1667. Además — ofrece una resistencia a golpes
de 1500g y un diseño ligero de solo 9.5 g.

• Encriptación aes 256 — bit encryptión
• Compatible con class 0 — tcg — opal e ieee1667
• Resistencia a los golpes: 1500g
• Dimensiones: 80.15 x 22.15 x 3.88 mm
• Peso: 9.5 g