DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2TB PCIE 5.0

Características del samsung 9100 pro mz — vap2t0 2tb

El **samsung 9100 pro mz — vap2t0** es un ssd interno de alto rendimiento diseñado para usuarios que demandan la máxima velocidad -
eficiencia térmica y fiabilidad. Gracias a su interfaz **pcie 5.0 x4** y tecnología **samsung v — nand tlc** — es ideal tanto para entornos
profesionales como para gaming exigente — estaciones de trabajo o creadores de contenido que requieren tiempos de carga ultrarrápidos y
transferencia intensiva de datos.

Velocidad extrema con pcie 5.0 y nvme 2.0

Este modelo ofrece una de las tasas de transferencia más altas del mercado — gracias a su interfaz **pcie 5.0** compatible con **nvme
2.0** — permitiendo flujos de trabajo más ágiles y eficientes. Ya sea para ejecutar software pesado o transferir grandes volúmenes de
archivos — el rendimiento está garantizado.

• Lectura secuencial: hasta 14.700 mb — s
• Escritura secuencial: hasta 13.400 mb — s
• Iops lectura — escritura aleatoria 4k: hasta 1.850.000.2.600.000
  

Diseño térmico eficiente y durabilidad avanzada

Incluye un **disipador térmico integrado** que mantiene temperaturas óptimas incluso bajo cargas intensas — prolongando la vida útil del
dispositivo y evitando caídas de rendimiento. Además — su resistencia de escritura es de **hasta 1200 tbw** — lo que lo hace ideal para un
uso intensivo prolongado.

• Disipador térmico metálico incorporado
• Resistencia de escritura: 1200 tbw
• Mtbf: 1.500.000 horas
  

Seguridad avanzada y software de gestión

El samsung 9100 pro incluye **cifrado aes de 256 bits** y cumple con el estándar **ieee 1667** — asegurando que tus datos estén
siempre protegidos. Además — con el software **samsung magician** — puedes monitorizar el estado del ssd — actualizar firmware y
optimizar el rendimiento en tiempo real.

• Cifrado por hardware: aes 256 bits
• Compatibilidad con trim — s.M.A.R.T. Y device sleep
• Software incluido: samsung magician
  

Formato compacto y eficiencia energética

Con factor de forma **m.2 2280** — es compatible con una amplia gama de placas base modernas. Su consumo energético es
notablemente eficiente para su nivel de prestaciones — incluyendo un modo de bajo consumo para reposo y estado dormido.

• Factor de forma: m.2 2280
• Consumo: 8.1 w (lectura) — 7.9 w (escritura) — 4.8 w (en espera) — 4 mw (modo dormido)
• Dimensiones: 81.3 x 22.9 x 8.89 mm | peso: 31.8 g
  

Otras especificaciones

• Tipo de memoria: nand tlc (triple — level cell)
• Temperatura operativa: de 0 °c a 70 °c
• Tolerancia a golpes (no operativo): hasta 1500 g
• Cumplimiento de normativas: ieee 1667
• Incluye caja para colgar en retail